一、報告題目：表面分析技術（XPS/UPS/LEIPS）特點及其在光電器件研究中的應用
二、報 告 人：鞠煥鑫 博士，高德英特(北京)科技有限公司
三、會議時間：2020年11月4日上午10:00
四、會議地點：綜合科研樓302
五、報告摘要：
近年來随着科學技術的飛速發展，先進的表面分析技術已經成為材料、能源、催化、微電子以及半導體産業等領域中開展表面特性研究所必需的實驗技術。在科學研究和産業領域，表面分析技術對解決複雜問題具有重要的作用。例如先進的多功能XPS分析設備集成了多項表面分析技術（XPS -UPS-LEIPS-GCIB），可以提供包括芯能級、價帶和導帶的全面電子結構信息，同時結合多種濺射離子源實現對無機材料以及有機材料進行逐層解析的深度分析能力，為表面特性研究提供強有力的技術支持。
在本報告中，将講述能譜技術（XPS/UPS/LEIPS）的基本原理及其相關技術特點，深度分析技術（Ar+/GCIB）的原理和技術特點，講解數據處理過程包括譜圖定量分析、化學态解析以及譜圖拟合等内容，并結合光電器件中的研究事例介紹表面分析技術在材料組分/化學态、深度分析以及能級電子結構研究中的應用。歡迎感興趣的老師和同學來聽報告，并就能譜技術問題開展深入的交流與探讨。
六、參會要求：
1.請學院相關課題組師生提前10分鐘入場完畢。
2.報告會期間，請将手機關閉或調至靜音狀态。
